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TP65H030G4PWS / 650V 55.7A Nチャンネル Super-GaN FET

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メーカー : Renesas Electronics(ルネサスエレクトロニクス)

【概要】
TP65H030G4PWSは650V 30mΩ(typ.)のSuper-GaN®シリーズの窒化ガリウム(GaN)FETです。高電圧GaN HEMTと低電圧のシリコンMOS-FETを組み合わせることで、すぐれた性能、標準的ドライブ方法、使いやすさと信頼性を実現しました。
高電圧大電力の超高速スイッチング用途に適しています。
パッケージはTO-247パッケージです。※背面の放熱部はソースですので、ピン配置にご注意ください。

【詳細】
●主な定格と特性(@Tc=25℃)
VDS : 650V
ID : 55.7A(DC)
PD : 192W
Vth : +4V typ. (+3.3V～+4.8V)
オン抵抗 : 30mΩ typ. (37mΩ max.) @VGS=12V. ID=30A
標準ゲート電荷量 : 24.5nC
ピン配置 : G-S-D (背面の放熱部はソース(S))

製品情報 : https://www.renesas.com/ja/document/dst/tp65h030g4pws-datasheet?r=25573803